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產(chǎn)品型號(hào)：3.2*7.5帶尾彈針
所屬分類：電流探針
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：產(chǎn)品定位精度高、產(chǎn)品過載穩(wěn)定、產(chǎn)品測(cè)試誤判率低
主要應(yīng)用于：智能產(chǎn)品、藍(lán)牙耳機(jī)、藍(lán)牙手環(huán)
產(chǎn)品介紹：這個(gè)針通常用于智能手表，藍(lán)牙耳機(jī)上的有充電的功能，但是探針總體來說還是測(cè)試的
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晶元測(cè)試中高溫對(duì)測(cè)試探針機(jī)械性能的影響

       隨著半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)的不斷發(fā)展，高溫晶元測(cè)試已經(jīng)逐漸成為主流，并且測(cè)試溫度逐年升高。在不斷改良硬件設(shè)施的性能外，如何通過持續(xù)改進(jìn)工藝制程和參數(shù)來更好的保證高溫晶元測(cè)試的穩(wěn)定性和安全性尤為重要　　在晶元測(cè)試過程中探針卡的探針需要與晶元芯片表面PAD良好接觸以建立起測(cè)試機(jī)到芯片的電流通路。接觸的深度需要被控制在微米級(jí)，按照晶元層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不同，通常在0.5微米到1.5微米之間較適宜。過淺會(huì)造成接觸不良導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果不穩(wěn)定，過深則會(huì)有潛在的破壞底層電路的風(fēng)險(xiǎn)。而最直接影響接觸深度的物理量就是OD(Over-Drive)。與室溫測(cè)試相比，由于整套測(cè)試硬件在高溫環(huán)境下會(huì)發(fā)生熱膨脹，且在測(cè)試過程中會(huì)表現(xiàn)出與熱源距離相關(guān)的持續(xù)波動(dòng)性，要保證高溫測(cè)試的穩(wěn)定安全，需要一套特殊的工藝

2021-02-05

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